Оптические свойства полупроводников

Оптические методы исследования позволяют изучать физические свойства полупроводников и независимо от других методов точно определять их характеристические параметры. В настоящей монографии творчески обобщены последние результаты экспериментальных исследований оптических свойств полупроводников на примере трех групп материалов: элементарные полупроводники (Gе, Si), соединения А3В5 (InSb, InAs, GaAs и другие), соединения А4В6 (PbS, PbSe, РbТе). Эти материалы полно раскрывают особенности структуры электронных спектров полупроводников, наиболее детально исследованы и широко применяются в полупроводниковых приборах. Большое внимание в монографии уделено описанию методик экспериментальноrо исследования спектров отражения и прозрачности в области длин волн от ультрафиолетовой до далекой инфракрасной. Краткое рассмотрение теории явлений позволяет читателю сделать вывод о возможностях метода и точности измеряемых с eгo помощью параметров полупроводника.